韩研究所：韩国DRAM技术领先中国5年，NAND闪存领先2年

据BusinessKorea报道，韩国进出口银行海外经济研究所估计，韩国在DRAM技术方面领先中国5年，在NAND闪存方面领先中国2年。

该研究机构5月30日表示，中国DRAM厂商长信存储器今年正在推进第二代10nm DRAM的量产。另一方面，三星电子和SK海力士正计划在今年年底或明年量产第五代10nm DRAM (1b或12 nm至13 nm)。考虑到每一代人的技术差距大约是2到2年半，两国的技术差距超过5年。

特别是三星和SK海力士已经引进了用于超微制造工艺的极紫外设备，或者正在计划引进。然而，由于中国公司很难引进EUV的设备，许多专家认为中国缩小与南韩的技术差距并不容易。

中国芯片厂商的良品率也很低。OERI分析称，2019年开始量产第一代10nm DRAM的长信存储，即使两年过去了，其良品率仍在75%左右挣扎。据了解，其第二代DRAM的良品率也在40%左右。分析师表示，截至去年年底，长信存储的DRAM市场份额不到1%，而且不会大幅反弹。

IT之家了解到，在NAND闪存方面，该机构估计中国和韩国的技术差距约为两年。中国存储半导体公司长江存储于2021年8月开始量产第六代3D NAND闪存。三星和SK海力士从2019年开始量产这种闪存。韩国公司计划从今年年底到明年年初量产超过200层的NAND闪存，但长江存储预计要到2024年才能实现。

不过一个变数是，苹果目前正在考虑在iPhone中使用长江存储的NAND闪存。在这种情况下，预计长江存储将通过扩大投资来大力追赶韩国芯片厂商。尤其是NAND闪存是一个成长中的行业，不同于DRAM行业，所以变数很多。专家表示，如果五六家NAND闪存公司迅速扩大产能，就会出现价格竞争，这可能会改变NAND闪存市场份额的排名。

此外，该机构还表示，韩国在铸造技术方面领先中国约5年。目前，韩国三星电子和中国台湾省TSMC正在大规模生产4-5纳米芯片。另一方面，中国的SMIC处于14纳米的水平，落后两到三代。

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